以氮化镓（GaN）、碳化硅、金刚石等为代表的第三代半导体材料具有高发光效率、抗腐蚀、化学稳定性好、高强度等特性，是目前最先进的半导体材料。完成下列填空：
(1)组成上述三种半导体材料的各种元素中，原子半径最小的元素在周期表中的位置是_______。原子序数最小的元素原子的核外电子排布式是___________。
(2)镓元素的相对原子质量为69.72，自然界中的镓共有两种稳定的同位素，其中⁶⁹Ga的原子个数百分含量为60.1%，则另一种镓的同位素可表示为______。
(3)镓、铝为同族元素，性质相似。下表是两种两性氢氧化物的电离常数。

两性氢氧化物	Al(OH)3	Ga(OH)3
酸式电离常数Kia	2×10-11	1×10-7
碱式电离常数Kib	1.3×10-33	1.4×10-34

①写出氢氧化镓的电离方程式：______________。
②将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液，再往反应后的溶液中缓缓通入CO₂，最先析出的氢氧化物是___________。
(4)碳化硅单晶是目前技术最成熟的第三代半导体材料。下列能说明碳的非金属性强于硅的反应（或反应组）是_____（选填编号）
a．SiO₃^2- + 2CO₂ + 2H₂O → H₂SiO₃ + 2HCO₃^—
b．SiO₂ + 2CSi + 2CO↑
c．SiH₄Si + 2H₂；CH₄C + 2H₂
d．Si + O₂SiO₂；C + O₂CO₂