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解答题-结构与性质 较难0.4 引用6 组卷240
砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：
（1）Ga基态原子核外电子排布式为________________,As基态原子核外有__________个未成对电子。
（2）Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是__________,Ga、As、Se的电负性由大到小的顺序是__________________。
（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________,GaF的熔点超过1000℃，可能的原因是__________________________。
镓的卤化物CaCl3CaBr3CaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346
（4）二水合草酸镓的结构如图1所示，其中镓原子的配位数为__________，草酸根离子中碳原子的杂化轨道类型为__________。
（5）砷化镓的立方晶胞结构如图2所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为__________g·cm-3(设NA为阿伏加 德罗常数的值，列出计算式即可）。
2018·黑龙江齐齐哈尔·三模
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知识点：电离能变化规律元素性质与电负性的关系利用杂化轨道理论判断化学键杂化类型晶胞的有关计算 答案解析 【答案】很抱歉，登录后才可免费查看答案和解析！
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镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_______，基态As原子核外有_______个未成对电子。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192由此可推知镓的主要化合价为_______和+3。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：_______。
镓的卤化物GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346
(4)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为_______，草酸根中碳原子的杂化方式为_______。
       
(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565 pm。该晶体的类型为_______，晶体的密度为_______(设NA为阿伏伽德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。
   
镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为__________，占据最高能级的电子云轮廓图形状为_________。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位: kJ/mol)的数值依次为577、1984.5. 2961.8、6192，由此可推知镓的主要化合价为_______和+3。
(3)Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是__________。
(4)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：__________。
镓的卤化物GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346
(5)AsH3的沸点比NH3低，原因是__________。
(6)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为__________。

   

(7)砷化镓晶胞结构如下图所示，晶胞参数为a=565 pm，熔点为1238℃。其固体属于________晶体，晶体的密度为_________g/cm3(设NA为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)。

   

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