解答题-结构与性质 适中0.65 引用1 组卷180
镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料。回答下列问题:
(1)基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]__________ ,核外电子占据的最高能层的符号是________________ 。
(2)砷与锗、硒是同周期主族元素,该三种元素的第一电离能由大到小的顺序为_______________________ 。
(3)单晶锗具有金刚石结构,其原子之间存在的作用力为__________________ 。
(4)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是____________ 。硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等,与氯、溴结合能形成SiCl4、SiBr4,上述四种物质沸点由高到低顺序为_______________ ,丁硅烯(Si4H8)中
键与
键个数之比为______________ 。
(5)已知GaCl3的熔点77. 9 °C ,沸点201°C ; GeCl4的熔点 -49. 5 °C ,沸点84 °C,则GaCl3的晶体类型为______________ ,GaCl3的杂化轨道类型为_____________ ,GeCl4的空间构型为_________________ 。
(6)砷化稼的晶胞结构如图所示,若该晶体密度为
]则晶胞参数a =_____________ cm (用NA表示阿伏加 德罗常数)。
(1)基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]
(2)砷与锗、硒是同周期主族元素,该三种元素的第一电离能由大到小的顺序为
(3)单晶锗具有金刚石结构,其原子之间存在的作用力为
(4)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是
(5)已知GaCl3的熔点77. 9 °C ,沸点201°C ; GeCl4的熔点 -49. 5 °C ,沸点84 °C,则GaCl3的晶体类型为
(6)砷化稼的晶胞结构如图所示,若该晶体密度为
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18-19高二下·山东·阶段练习
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镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料,应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题:
(1)硒常用作光敏材料,基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]_______ ;与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_____ 种;SeO3的空间构型是_______ 。
(2)根据元素周期律,原子半径Ga___ As,第一电离能Ga _____ As。(填“大于”或“小于”)
(3)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是______ ,硅与氢结合能形成一系列的二元化合物SiH4、Si2H6等,与氯、溴结合能形成SiCl4、SiBr4,上述四种物质的沸点由高到低的顺序为__________ ,丁硅烯(Si4H8)中σ键与π键个数之比为___ 。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因___ 。
(5)GaN晶体结构如图所示。已知六棱柱底边边长为a cm,阿伏加 德罗常数的值为NA。
①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为_____ 。
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为
cm3,GaN晶体的密度为____ g/cm3(用a、NA表示)。
(1)硒常用作光敏材料,基态硒原子的核外电子排布式为[Ar]
(2)根据元素周期律,原子半径Ga
(3)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体硅类似,熔点如下表所示,分析其变化原因
GaN | GaP | GaAs | |
熔点/℃ | 1700 | 1480 | 1238 |
①晶体中Ga原子采用六方最密堆积方式,每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图所示。若该平行六面体的体积为
镓(Ga)、锗(Ge)、硅(Si)、硒(Se)的单质及某些化合物如砷化镓、磷化镓等都是常用的半导体材料,应用于航空航天测控、光纤通讯等领域。回答下列问题:
(1)硒常用作光敏材料,基态硒原子的核外电子排布式为_______ ;与硒同周期的p区元素中第一电离能大于硒的元素有_______ 种;
的空间构型是_______ 。
(2)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是_______ 。硅与氢结合能形成一系列的二元化合物
等,与氯、溴结合能形成
,上述四种物质沸点由高到低顺序为_______ ,丁硅烯
中
键与
键个数之比为_______ 。
(3)GaN、GaP、GaAs都是原子晶体,熔点如表所示,分析其熔点变化的原因_______ 。
(4)GaN晶胞结构如图甲所示。已知六棱柱底边边长为
,阿伏加德罗常数的值为
。从GaN晶体中分割出的平行六面体如图乙,该平行六面体的高为
,GaN晶体的密度为_______
(用
表示)。
(1)硒常用作光敏材料,基态硒原子的核外电子排布式为
(2)水晶的主要成分是二氧化硅,在水晶中硅原子的配位数是
(3)GaN、GaP、GaAs都是原子晶体,熔点如表所示,分析其熔点变化的原因
GaN | GaP | GaAs | |
熔点 | 1700℃ | 1480℃ | 1238℃ |
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