以氮化镓（GaN）为首的第三代半导体材料适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常也称为高温半导体材料。回答下列问题：
（1）基态Ga原子价层电子的电子排布图为______；第二周期中，第一电离能介于N和B之间的元素有______种。
（2）HCN分子中σ键与π键的数目之比为______，其中σ键的对称方式为______。与CN^-互为等电子体的一种分子为______。
（3）NaN₃是汽车安全气囊中的主要化学成分，其中阴离子与CO₂互为等电子体，阴离子中心原子的杂化轨道类型为______。NF₃的空间构型为______。
（4）GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料，晶体类型与晶体硅类似，熔点如下表所示，分析其变化原因______。

	GaN	GaP	GaAs
熔点	1700℃	1480℃	1238℃

（5）GaN晶胞结构如图1所示。已知六棱柱底边边长为a cm，阿伏伽德罗常数的值为N_A。
①晶胞中Ga原子采用六方最密堆积方式，每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数目为______；
②从GaN晶体中“分割”出的平行六面体如图2。若该平行六面体的体积为a³cm³，GaN晶体的密度为______g/cm³（用a、N_A表示）。

图1                                                                                     图2