试题详情
单选题 适中0.65 引用1 组卷210
将粗硅转化成三氯硅烷（SiHCl3），进一步反应也可以制得粗硅。其反应为：SiHCl3（g）＋H2（g）Si（s）＋3HCl（g）。不同温度下，SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比（反应初始时各反应物的物质的量之比）的变化关系如图所示。下列说法正确的是
A．该反应是放热反应
B．横坐标表示的投料比应该是
C．该反应的平衡常数随温度升高而增大
D．实际生产中为提高SiHCl3的利用率，可以适当增大压强
17-18高二下·北京·期中
收藏试题 下载试题 加入试题篮
知识点：化学平衡的有关计算化学平衡图像分析化学平衡常数的概念及表达方式 答案解析 【答案】很抱歉，登录后才可免费查看答案和解析！
类题推荐
高纯硅晶体是信息技术的重要材料。
（1）工业上用石英和焦炭可以制得粗硅。已知反应过程的能量变化如下图

写出用石英和焦炭制取粗硅的热化学方程式______________________________。
（2）某同学设计下列流程制备高纯硅：

①Y的化学式为____________________。
②写出反应I的离子方程式________________________________________。
③写出反应IV的化学方程式________________________________________。
④甲烷分解的温度远远高于硅烷（SiH4），用原子结构解释其原因______________________________。
（3）将粗硅转化成三氯硅烷（SiHCl3），进一步反应也可以制得粗硅。其反应：SiHCl3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g)，不同温度下，SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比的变化关系如图所示。下列说法正确的是__________（填字母）。

A．该反应是放热反应
B．横坐标表示的投料比可以是
C．该反应的平衡常数随温度升高而增大
D．实际生产中为提高SiHCl3的利用率，可以适当增大压强
高纯硅晶体是信息技术的重要材料。
(1)在周期表的以下区域中可以找到类似硅的半导体材料的是______（填字母）。
A．过渡元素区域               B．金属和非金属元素的分界线附近
(2)工业上用石英和焦炭可以制得粗硅。已知：

写出用石英和焦炭制取粗硅的热化学方程式____________________。
(3)某同学设计下列流程制备高纯硅：

①Ｙ的化学式为______。
②写出反应Ⅰ的离子方程式______________。
③写出反应Ⅳ的化学方程式______________。
④步骤Ⅵ中硅烷(SiH4)分解生成高纯硅，已知甲烷分解的温度远远高于硅烷，用原子结构解释其原因是______________。
(4)将粗硅转化成三氯硅烷(SiHCl3)，进一步反应也可以制得粗硅。其反应：
SiHCl3 (g) + H2(g) Si(s) + 3HCl(g)，不同温度下，SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比（反应初始时各反应物的物质的量之比）的变化关系如图所示。下列说法正确的是______________(填字母)。

A．该反应是放热反应
B．横坐标表示的投料比应该是
C．该反应的平衡常数随温度升高而增大
D．实际生产中为提高SiHCl3的利用率，可以适当增大压强
高纯硅晶体是信息技术的重要材料。
（1）工业上用石英和焦炭可以制得粗硅。已知反应过程的能量变化如下图

写出用石英和焦炭制取粗硅的热化学方程式______________________________。
（2）某同学设计下列流程制备高纯硅：

①Y的化学式为____________________。
②写出反应I的离子方程式________________________________________。
③写出反应IV的化学方程式________________________________________。
④甲烷分解的温度远远高于硅烷（SiH4），用原子结构解释其原因______________________。
（3）将粗硅转化成三氯硅烷（SiHCl3），进一步反应也可以制得粗硅。其反应：SiHCl3(g)+H2(g)Si(s)+3HCl(g)，不同温度下，SiHCl3的平衡转化率随反应物的投料比的变化关系如图所示。下列说法正确的是__________（填字母）。

A．该反应是放热反应
B．横坐标表示的投料比可以是
C．该反应的平衡常数随温度升高而增大
D．实际生产中为提高SiHCl3的利用率，可以适当增大压强

组卷网是一个信息分享及获取的平台，不能确保所有知识产权权属清晰，如您发现相关试题侵犯您的合法权益，请联系组卷网

组卷
试题篮
我的