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解答题-实验探究题 适中0.65 引用1 组卷386
工业上可用粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3：Si+3HCl=SiHCl3+H2，SiHCl3与过量的H2在1000℃～1100℃反应制得纯硅。
有关物质的物理常数见下表：
物质SiCl4BCl3AlCl3FeCl3SiHCl3PCl5
沸点/℃57.712.8—31533.0—
熔点/℃-70.0-107.2——-126.5—
升华温度/℃——180300162
（1）粗硅与HCl反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3中含有少量SiCl4，提纯SiHCl3可采用
___________的方法
（2）实验室也可用SiHCl3与过量干燥的H2反应制取纯硅，装置如下图所示（加热和夹持装置略去）：
   
①装置B中的试剂是___________，装置C需水浴加热，目的是 ____________________。
②反应一段时间后，装置D中可观察到有晶体硅生成，装置D不能采用普通玻璃管的原因是_____________。
2017·浙江绍兴·一模
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知识点：硅的化学性质常见无机物的制备 答案解析 【答案】很抱歉，登录后才可免费查看答案和解析！
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工业上可用粗硅(含有铁、铝、硼、磷等杂质)与干燥的HCl气体反应制SiHCl3：Si+3HCl = SiHCl3+H2，SiHCl3可与过量H2在1000~1100°C反应制得纯硅。有关物质的物理常数见下表：
物质SiCl4BCl3AlCl3FeCl3SiHCl3PCl5
沸点/°C57.712.8——31533.0——
熔点/°C-70.0-107.2————-126.5——
升华温度/°C————180300——162
请回答：
(1)粗硅与HCl反应完全后的混合物冷却到标准状况，可通过________操作提纯得到SiHCl3。
(2)实验室也可以采用如右图装置(加热、夹持及尾气处理装置均略去)用SiHCl3与过量干燥H2反应制取纯硅。


①仪器a的名称为_______， 装置 B中的试剂为________。
②装置C为水浴加热，目的是________， 反应一段时间后，D中可以观察到晶体硅生成，同时生成一种气体产物，写出其化学式_______。
③为保证实验安全，加热D装置前必须完成的操作是_________。
晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅的过程如下：
I.高温下用过量的碳还原二氧化硅制得粗硅；
II.粗硅与干燥的HCl气体反应制得SiHCl3(Si＋3HClSiHCl3＋H2)；
III.SiHCl3与过量的H2在1100～1200℃的温度下反应制得纯硅，已知SiHCl3能与水剧烈反应。
(1)第一步用焦炭与石英砂制取粗硅，其反应的化学方程式为_______；上述反应中的氧化剂是_______，还原剂是_______。
(2)粗硅与HCl气体反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3(沸点33.0℃)中含有少量SiCl4(沸点57.6℃)和HCl(沸点-84.7℃)，提纯SiHCl3采用的方法为_______。
(3)实验室用SiHCl3与过量的H2反应制取纯硅装置如图所示(加热和夹持装置略去)：

①装置B中的试剂是_______，装置C中的烧杯需要加热，目的是_______。
②反应一段时间后，装置D中观察到的现象是_______，装置D不能采用普通玻璃管的原因是_______，装置D中发生反应的化学方程式是_______。
③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及_____。
晶体硅是一种重要的非金属材料，制备纯硅的主要步骤如下：
①高温下用过量的碳还原二氧化硅制得粗硅，同时得到一种可燃性气体；
② 粗硅与干燥的HCl气体反应制得SiCl3（Si+ 3HClSiCl3 + H2）
③ SiHCl3与过量的H2在1100～1200℃的温度下反应制得纯硅，已知SiHCi3。能与水剧烈反应，在空气中易自燃。
请回答：
（1）第一步制取粗硅的化学反应方程式为_________。
（2）粗硅与HCl气体反应完全后，经冷凝得到的SiHCl3（沸点33.0℃ ）中含有少量SiC14（沸点57.6℃）和HCl（沸点-84.7℃），提纯SiHCl3采用的方法为________。
（3）实验室用SiHCl3与过量的H2反应制取纯硅装置如图所示（加热和夹持装置略去）：

①装置B中的试剂是___________，装置C中的烧杯需要加热，目的是___________。
②反应一段时间后，装置D中观察到的现象是___________，装置D不能采用普通玻璃管的原因是___________，装置D中发生反应的化学方程式是___________。
③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及___________。

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