填空题 较易0.85 引用1 组卷378
W、X、Y、Z、M、G五种短周期元素,原子序数依次增大。W、Z同主族,可形成离子化合物ZW;Y 、M同主族,可形成MY2、 MY3两种分子;X的气态氢化物水溶液呈碱性。
请回答下列问题:
(1)Y在元素周期表中的位置为__________ ;
(2)上述五种元素的最高价氧化物对应的水化物酸性最强的是__________ (写化学式)
(3)W、Y、Z、G形成的简单离子的半径大小顺序是__________ (用化学符号表示)
(4)Y、G的单质或两元素之间形成的化合物可作水消毒剂的有__________ (任写两个)
(5)Y与M的氢化物中,热稳定性差的是________ (填化学式),沸点高的是________ (填化学式)
(6)ZW的电子式为__________ ,W2Y2的电子式为_____ ,用电子式表示Z2M的形成过程:______ 。
(7)MY2和G2均能使品红溶液褪色,常温常压下若将相同体积的MY2和G2气体同时通入品红溶液,品红溶液__________ (填“褪色”或“不褪色”),请用相关离子方程式解释原因_______ 。
(8)已知
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是是__________ ;制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是__________ 。
(9)最近意大利罗马大学的FulvioCacace等人获得了极具理论研究意义的N4分子。N4分子结构如下图所示,已知断裂1 mol N—N吸收167 kJ热量,生成1 mol N≡N放出942kJ。根据以上信息和数据,下列说法正确的是__________ 。
请回答下列问题:
(1)Y在元素周期表中的位置为
(2)上述五种元素的最高价氧化物对应的水化物酸性最强的是
(3)W、Y、Z、G形成的简单离子的半径大小顺序是
(4)Y、G的单质或两元素之间形成的化合物可作水消毒剂的有
(5)Y与M的氢化物中,热稳定性差的是
(6)ZW的电子式为
(7)MY2和G2均能使品红溶液褪色,常温常压下若将相同体积的MY2和G2气体同时通入品红溶液,品红溶液
(8)已知
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
(9)最近意大利罗马大学的FulvioCacace等人获得了极具理论研究意义的N4分子。N4分子结构如下图所示,已知断裂1 mol N—N吸收167 kJ热量,生成1 mol N≡N放出942kJ。根据以上信息和数据,下列说法正确的是__________ 。
A.N4属于一种新型化合物 | B.N4晶体熔点高,硬度大 |
C.相同质量的N4的能量高于N2 | D.1molN4转变为N2将吸收882kJ的能量. |
15-16高一下·天津·期中
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元素单质及其化合物有广泛用途,请根据周期表中第三周期元素相关知识回答下列问题:
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是___ 。
a.原子半径和离子半径均减小 b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强 d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为___ ,氧化性最弱的简单阳离子是___ 。
(3)已知:
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是___ ;制铝时,电解Al2O3而不电解AlCl3的原因是___ 。
(4)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)
写出SiCl4的电子式:___ ;在上述由SiCl4制纯硅的反应中,测得每生成1.12kg纯硅需吸收akJ热量,写出该反应的热化学方程式:____ 。
(5)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是____ 。
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(6)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式:____ 。
(1)按原子序数递增的顺序(稀有气体除外),以下说法正确的是
a.原子半径和离子半径均减小 b.金属性减弱,非金属性增强
c.氧化物对应的水化物碱性减弱,酸性增强 d.单质的熔点降低
(2)原子最外层电子数与次外层电子数相同的元素名称为
(3)已知:
化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
类型 | 离子化合物 | 离子化合物 | 离子化合物 | 共价化合物 |
熔点/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
工业制镁时,电解MgCl2而不电解MgO的原因是
(4)晶体硅(熔点1410℃)是良好的半导体材料。由粗硅制纯硅过程如下:Si(粗)SiCl4SiCl4(纯)Si(纯)
写出SiCl4的电子式:
(5)P2O5是非氧化性干燥剂,下列气体不能用浓硫酸干燥,可用P2O5干燥的是
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
(6)KClO3可用于实验室制O2,若不加催化剂,400℃时分解只生成两种盐,其中一种是无氧酸盐,另一种盐的阴阳离子个数比为1∶1。写出该反应的化学方程式:
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