解答题-结构与性质 较难0.4 引用1 组卷47
氮、氧、磷、砷及其化合物在工农业生产等方面有着重要应用。请按要求回答下列问题。
(1)电负性P_______ As(填“>”或“<”或“=”)。
(2)尿素()中碳原子杂化类型_______ ;离子的立体构型名称(即空间构型)为_______ 。
(3)AsH3是无色稍有大蒜味的气体。AsH3的沸点高于PH3,其主要原因是_______ 。
(4)我国的“天宫”空间站的核心舱“天和”选择了高效柔性砷化镓(GaAs)薄膜太阳能电池来供电。已知砷化镓的熔点为1238℃,GaAs的晶胞结构如图所示。①该晶体的类型为_______ ,As与Ga之间存在的化学键有_______ (填字母)。
A.离子键 B.σ键 C.π键 D.氢键 E.配位键 F.金属键 G.极性键
②1号镓原子的坐标为_______ 。晶胞密度为dg∙cm-3,摩尔质量为Mg∙mol-1 ,阿伏加德罗常数的值用NA表示,则晶胞中最近的As和Ga原子核间距为_______ nm(列式表示)。
(1)电负性P
(2)尿素()中碳原子杂化类型
(3)AsH3是无色稍有大蒜味的气体。AsH3的沸点高于PH3,其主要原因是
(4)我国的“天宫”空间站的核心舱“天和”选择了高效柔性砷化镓(GaAs)薄膜太阳能电池来供电。已知砷化镓的熔点为1238℃,GaAs的晶胞结构如图所示。①该晶体的类型为
A.离子键 B.σ键 C.π键 D.氢键 E.配位键 F.金属键 G.极性键
②1号镓原子的坐标为
23-24高二下·黑龙江绥化·阶段练习
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N、Ga元素因其在生产、生活和科研领域的重要作用而备受关注。
请回答下列问题:
(1)基态Ga原子中含有___________________ 种能量不同的电子,其中能量最高的电子的电子云轮廓图的形状为_________________________ 。
(2)Ga 单质有晶体和玻璃体两种形态,区别二者最可靠的科学方法为_____________________ 。
(3)Ga 分别与N、P、AS形成化合物的晶体结构与金刚石相似,其熔点如下表所示:
①从结构的角度分析,三种晶体熔点不同的原因为____________________________________ 。
②GaN 晶体中含有的化学键类型为______________ (填选项字母)。
A.离子键B.配位键C.σ键D.π键E.氢键
③GaP 的晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被P原子代替,顶点和面心的碳原子被Ga原子代替。若GaP晶体的密度为pg·cm-3,阿伏伽德罗常数的值为NA,则晶胞中Ga和P原子的最近距离为____________ nm。
(4)第二周期元素中,基态原子的第一电离能大于基态氮原子的有__________ 种。
(5)NaNH2是一种重要的工业原料。
①钠元素的焰色反应为黄色。很多金属元素能产生焰色反应的微观原因为___________________ 。
②NH2-中氮原子的杂化方式为_____________ ;该离子的空间构型为________________ 。
③写出与NH2-互为等电子体的分子的化学式:____________________ (任写一种)。
请回答下列问题:
(1)基态Ga原子中含有
(2)Ga 单质有晶体和玻璃体两种形态,区别二者最可靠的科学方法为
(3)Ga 分别与N、P、AS形成化合物的晶体结构与金刚石相似,其熔点如下表所示:
物质 | GaN | GaP | GaAs |
熔点/℃ | 1700 | 1465 | 1238 |
②GaN 晶体中含有的化学键类型为
A.离子键B.配位键C.σ键D.π键E.氢键
③GaP 的晶胞结构可看作金刚石晶胞内部的碳原子被P原子代替,顶点和面心的碳原子被Ga原子代替。若GaP晶体的密度为pg·cm-3,阿伏伽德罗常数的值为NA,则晶胞中Ga和P原子的最近距离为
(4)第二周期元素中,基态原子的第一电离能大于基态氮原子的有
(5)NaNH2是一种重要的工业原料。
①钠元素的焰色反应为黄色。很多金属元素能产生焰色反应的微观原因为
②NH2-中氮原子的杂化方式为
③写出与NH2-互为等电子体的分子的化学式:
磷酸氯喹在细胞水平上能有效抑制新型冠状病毒(SARS-CoV-2)的感染。磷酸氯喹的结构如图所示,据此回答下列问题。
(1)基态P原子中,电子占据的最高能级符号为___ ,基态N原子核外有__ 种运动状态不同的电子。
(2)C、N、O三种元素电负性从大到小的顺序为___ ;第一电离能χ(P)__ χ(Cl)(填“>”或“<”)。
(3)磷酸氯喹中N原子的杂化方式为__ ,NH3是一种极易溶于水的气体,其沸点比AsH3的沸点高,其原因是___ 。
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体碳化硅类似,熔点如表所示,
①GaN、GaP、GaAs的熔点变化原因是___ 。
②砷化镓晶体中含有的化学键类型为___ (填选项字母)。
A.离子键 B.配位键 C.σ键 D.π键 E.极性键 F.非极性键
③以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置。称作原子分数坐标。如图为沿y轴投影的磷化镓晶胞中所有原子的分布图。若原子1的原子分数坐标为(0.25,0.25,0.75),则原子2的原子分数坐标为___ ;若磷化镓的晶体密度为ρg·cm-3,阿伏加德罗常数的值为NA,则晶胞中Ga和P原子的最近距离为___ pm(用代数式表示)。
(1)基态P原子中,电子占据的最高能级符号为
(2)C、N、O三种元素电负性从大到小的顺序为
(3)磷酸氯喹中N原子的杂化方式为
(4)GaN、GaP、GaAs都是很好的半导体材料,晶体类型与晶体碳化硅类似,熔点如表所示,
GaN | GaP | GaAs | |
熔点/℃ | 1700 | 1480 | 1238 |
②砷化镓晶体中含有的化学键类型为
A.离子键 B.配位键 C.σ键 D.π键 E.极性键 F.非极性键
③以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置。称作原子分数坐标。如图为沿y轴投影的磷化镓晶胞中所有原子的分布图。若原子1的原子分数坐标为(0.25,0.25,0.75),则原子2的原子分数坐标为
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