解答题-结构与性质 适中0.65 引用1 组卷187
芯片作为科技产业,以及信息化、数字化的基础,自诞生以来,就一直倍受关注,也一直蓬勃发展。芯片制造会经过六个最为关键的步骤;沉积、光刻胶涂覆、光刻、刻蚀、离子注入和封装。
(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。
①镓为第四周期元素,基态Ga原子的核外电子排布为:___________ ;
②GaN、GaP、GaAs的结构类似于金刚石,熔点如表所示:试分析三者熔点变化的原因___________ 。
③将Mn掺杂到GaAs的晶体中替换部分Ga得到稀磁性半导体材料,晶体结构如甲图。___________ 。
(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶,结构如图乙所示,其S的杂化方式为___________ 。
及清洗剂
,三种物质中除H外的各元素的电负性由大到小的顺序为___________ ,HF分子的极性___________ (填“大于”“等于”或“小于”)HCl,1mol氟硼酸铵
中含有___________ mol配位键。
(4)LiF晶体结构属于氯化钠型。
①LiF的熔点和沸点比NaCl的高,请解释原因___________ 。
②LiF晶体的密度约为
,LiF晶胞的体积约为___________ cm3(计算结果保留一位有效数字)。
(1)“沉积”是将导体、绝缘体或半导体材料薄膜沉积到纯硅晶圆上。GaN、GaAs是制造芯片的新型半导体材料。
①镓为第四周期元素,基态Ga原子的核外电子排布为:
②GaN、GaP、GaAs的结构类似于金刚石,熔点如表所示:试分析三者熔点变化的原因
物质 | GaN | GaP | GaAs |
熔点/℃ | 1700 | 1480 | 1238 |
(2)“光刻胶涂覆”中用到一种701紫外正型光刻胶,结构如图乙所示,其S的杂化方式为
(4)LiF晶体结构属于氯化钠型。
①LiF的熔点和沸点比NaCl的高,请解释原因
②LiF晶体的密度约为
2024·上海·三模
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GaN是制造芯片的新型半导体材料。回答下列问题
(1)镓为第四周期元素,基态Ga原子的核外电子排布为:_______
(2)N、Si、P的电负性由强到弱的顺序为_______ (元素符号表示,下同);C、N、O的第一电离能由大到小的顺序_______ ;N2O的空间构型为_______
(3)芯片制造中用到光刻胶,可由不饱和物质甲基丙烯酸甲酯(
)、马来酸酐(
)等通过加聚反应制得。甲基丙烯酸甲酯中碳原子的轨道杂化类型为_______ ,马来酸酐分子中,
键和π键个数比为_______
(4)GaN、GaP、GaAs的结构类似于金刚石,熔点如表所示:
试分析三者熔点变化的原因_______
(5)GaAs的晶胞结构如图甲所示,将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料(图乙)。图甲、图乙晶体结构不变。_______ ,若GaAs晶体密度为ρg/cm3,相对分子质量为M,NA表示阿伏加德罗常数,则晶胞中距离最近的两个Ga原子间距离为_______ nm。
②图乙中a、b的坐标为(0、0、0),(1、1、0),则c点Mn的原子坐标为_______ 。掺杂Mn之后,晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为_______
(1)镓为第四周期元素,基态Ga原子的核外电子排布为:
(2)N、Si、P的电负性由强到弱的顺序为
(3)芯片制造中用到光刻胶,可由不饱和物质甲基丙烯酸甲酯(
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(4)GaN、GaP、GaAs的结构类似于金刚石,熔点如表所示:
物质 | GaN | GaP | GaAs |
熔点/℃ | 1700 | 1480 | 1238 |
(5)GaAs的晶胞结构如图甲所示,将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料(图乙)。图甲、图乙晶体结构不变。
②图乙中a、b的坐标为(0、0、0),(1、1、0),则c点Mn的原子坐标为
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