解答题-结构与性质 较易0.85 引用1 组卷89
砷化铟(InAs)是一种优良的半导体化合物,有广泛用途。
(1)基态In的价层电子排布式为5s25p1,In在周期表中的位置是____________ 。
(2)在Ar保护下分别将InCl3和AsCl3在气化室中加热转化为蒸气,在反应室中混合反应,即可得到橘黄色的InAs晶体。已知:AsCl3和InCl3均为分子晶体。AsCl3沸点为130℃,InCl3沸点为500℃
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2024/4/7/b1e37980-da6f-4f1f-b218-54f197075ac8.png?resizew=161)
①33As简化的电子排布式为___________ 。
②AsCl3分子的空间结构为___________ 。
③AsCl3沸点低于InCl3沸点的原因是___________ 。
④InCl3晶体中分子间存在配位键,配位原子是___________ 。
(3)InAs为原子之间以共价键的成键方式结合而成的晶体,其晶胞结构如图所示。已知该晶胞棱长为
,阿伏加德罗常数为
,InAs的摩尔质量为Mg·mol-1,则该晶体的密度![](https://staticzujuan.xkw.com/quesimg/Upload/formula/b30db97c39edcede2f0e7d4e075fecec.svg)
___________ g·cm-3。
(1)基态In的价层电子排布式为5s25p1,In在周期表中的位置是
(2)在Ar保护下分别将InCl3和AsCl3在气化室中加热转化为蒸气,在反应室中混合反应,即可得到橘黄色的InAs晶体。已知:AsCl3和InCl3均为分子晶体。AsCl3沸点为130℃,InCl3沸点为500℃
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①33As简化的电子排布式为
②AsCl3分子的空间结构为
③AsCl3沸点低于InCl3沸点的原因是
④InCl3晶体中分子间存在配位键,配位原子是
(3)InAs为原子之间以共价键的成键方式结合而成的晶体,其晶胞结构如图所示。已知该晶胞棱长为
23-24高二下·山西太原·阶段练习
类题推荐
Ⅰ.卤族元素相关物质在生产、生活中应用广泛。回答下列问题:
(1)卤族元素在周期表中处于___________ 区。
(2)卤族元素化合物的性质有相似性和递变性,下列说法不正确的是___________。
(3)
的结构与
类似,但是性质差异较大。
①
的空间结构名称为___________ 。
原子的轨道杂化类型为___________ 。
②
具有碱性(可与
结合)而
没有碱性,原因是___________ 。
Ⅱ.砷(
)元素可以形成多种化合物,有着广泛的用途。回答下列问题:
(4)As的基态原子的电子排布式为___________ 。
(5)砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料。
①GaAs与GaN都是由原子之间以共价键的成键方式结合而成的晶体。GaAs熔点为1238℃,GaN熔点为1500℃,GaAs熔点低于GaN的原因为___________ 。
②砷化镓晶胞结构如下图所示。平均每个晶胞所含Ga的原子个数为___________ 。
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/12/8/5f99482e-c37c-4bb1-baf6-33e783d31ab1.png?resizew=248)
③已知GaAs晶体的密度为
,阿伏加德罗常数为
,则该晶胞棱长为___________ pm(列出计算式即可,GaAs的摩尔质量为
)。(
)
元素 | H | N | F | Cl | Br | I |
电负性 | 2.1 | 3.0 | 4.0 | 3.0 | 2.8 | 2.5 |
(2)卤族元素化合物的性质有相似性和递变性,下列说法不正确的是___________。
A. |
B. |
C. |
D. |
①
②
Ⅱ.砷(
(4)As的基态原子的电子排布式为
(5)砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料。
①GaAs与GaN都是由原子之间以共价键的成键方式结合而成的晶体。GaAs熔点为1238℃,GaN熔点为1500℃,GaAs熔点低于GaN的原因为
②砷化镓晶胞结构如下图所示。平均每个晶胞所含Ga的原子个数为
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③已知GaAs晶体的密度为
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