GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，GaN属于第三代半导体材料。
(1)GaN、GaP、GaAs都是良好的半导体材料，晶体结构相似。熔点分别为：1700℃(GaN)、1480℃(GaP)、1238℃(GaAs)，其熔点变化的原因为_______。
(2)GaN的晶胞结构如图所示，每个Ga原子周围距离最近的N原子个数为_______个。

Ⅰ.为生成GaN，首先要得到有机镓源，即有机镓。
(3)有机镓的制取实验原理及反应的装置如下图。在充满惰性气体、含有乙醚()溶剂的容器内加入镓镁()合金，在持续搅拌、温度为30～80℃的条件下，加入引发剂碘甲烷，引发反应后通入一氯甲烷至反应结束。将溶剂蒸出，再减压蒸馏得到的配合物。将配合物加入高沸点有机胺中，蒸馏去除醚类溶剂，再在减压条件下进一步去除醚类和低沸点杂质，最后解配得到无氧的三甲基镓粗品。进一步提纯得到高纯度。

①反应仪器a的名称为____。三颈烧瓶中除生成外，还有和生成，该反应的化学方程式为______。
②工业上不采用直接分解，而采用先将加入高沸点有机胺，中，再在真空条件下分解的原因为_______。
已知相关物质的沸点信息如下表：

物质
沸点/℃	55.8	34.5	365.8

Ⅱ．MOCVD生产GaN的示意图如下：

(4)采用多孔球泡的原因是_______，制取GaN的化学反应方程式为_______。
(5)工业上采用真空泵抽取尾气的原因为_______。