单选题 适中0.65 引用2 组卷269
立方砷化硼(BAs)是一种优良的半导体材料,BAs的晶胞结构如图所示。若晶胞参数为apm,下列说法正确的是
A.As位于第五周期VA族 |
B.1号砷的坐标为 |
C.BAs晶体中存在着配位键 |
D.晶体BAs的摩尔体积为 |
23-24高二上·安徽阜阳·期中
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砷化硼是一种超高热导率半导体材料,其晶胞结构如图所示。下列说法错误的是
A.和元素As位于同一周期且含有相同未成对电子数的元素有两种 |
B.BAs晶体中圆原子和砷原子均采用sp3杂化 |
C.根据硼原子X,Y的坐标,1号砷的坐标为(,,) |
D.若晶胞中As原子到B原子的最近距离为apm,则该晶体的密度为 |
立方砷化硼(BAs)有潜力成为比硅更优良的半导体材料,BAs的晶胞结构如图所示:
若晶胞参数为apm,下列有关说法错误的是
若晶胞参数为apm,下列有关说法错误的是
A.该晶胞中所含As的个数与As的配位数相等 |
B.基态B原子核外电子的空间运动状态有3种 |
C.晶胞中As原子与B原子的最近距离为 |
D.晶胞在xy面上的投影图为 |
砷(As)、镓(Ga)等形成的化合物在现代工业中有广泛的用途,其中砷化镓是一种重要的半导体材料,晶胞结构如图所示,其熔点为1238℃,以下说法正确的是
A.一个晶胞中As原子的个数为4 |
B.As的配位数是2 |
C.砷化镓、砷化铝、砷化硼的熔沸点逐渐降低 |
D.砷化镓晶体中每个原子均形成4个共价键 |
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