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填空题 较易0.85 引用1 组卷33
Ⅰ．现有下列物质：①固体氢氧化钡，②石墨棒，③纯醋酸，④液态氯化氢，⑤硫酸氢钾固体，⑥熔融氯化钠，⑦酒精(C2H5OH)，⑧碳酸钠粉末。请用序号回答下列问题：
(1)以上物质中能导电的是_______。
(2)以上物质中属于电解质的是_______。
(3)以上物质中属于非电解质的是_______。
Ⅱ．高纯AlAs(砷化铝)可用于芯片制造。芯片制造中的一种刻蚀过程如图所示，图中所示致密保护膜为一种氧化物，可阻止刻蚀液与下层(砷化镓)反应。

(4)已知：Ga和Al最外层电子数相同，As和N最外层电子数相同。在H2O2与上层GaAs的反应中，As元素的化合价变为＋5价，则该反应的氧化剂与还原剂的物质的量之比为_______。
(5)配平下列化学方程式_______。
_______Cu＋_______HNO3(稀)=_______Cu(NO3)2＋_______NO↑＋_______H2O
23-24高一上·河南周口·期中
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知识点：电解质、非电解质概念非电解质、电解质物质类别判断氧化还原反应的几组概念氧化还原反应方程式的配平 答案解析 【答案】很抱歉，登录后才可免费查看答案和解析！
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一种回收利用某废催化剂[主要含铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)等元素的氧化物]中Al、Mo的工艺流程如下：

回答下列问题：
(1)“研磨”的目的是_______。
(2)“碱浸”中，有生成，其中Mo元素的化合价为_______。
(3)“沉铝”中，发生反应的离子方程式为_______。“沉钼”中，发生反应的离子方程式为_______。
(4)“沉钼”后所得滤液中主要存在的钠盐有NaCl和Y，Y受热分解可制得纯碱，Y为______。
(5)高纯AIAs(砷化铝)可用于芯片制造。芯片制造中的一种刻蚀过程如图所示。

①已知：Ga和Al同族，As和N同族。在与上层GaAs的反应中，As元素的化合价变为＋5价，则该反应的氧化剂与还原剂物质的量之比为_______。
②图中所示致密保护膜为一种氧化物，可阻止刻蚀液与下层GaAs反应，该氧化物为_____。
一种回收利用某废催化剂[主要含铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)等元素的氧化物]中Al、Mo的工艺流程如下：

       

已知：
回答下列问题：
(1)“研磨”的目的是___________。
(2)“碱浸”中，有生成，其中Mo元素的化合价为___________。
(3)“沉铝”中，发生反应的离子方程式为___________。
(4)“沉钼”后所得滤液中主要存在的钠盐有NaCl和Y，Y受热分解可制得纯碱，Y为___________。
(5)高纯AlAs(砷化铝)可用于芯片制造。芯片制造中的一种刻蚀过程如图所示。

   

①已知：Ga和Al同族，As和N同族。在与上层的反应中，As元素的化合价变为+5价，则该反应的氧化剂与还原剂物质的量之比为___________。
②图中所示致密保护膜为一种氧化物，可阻止刻蚀液与下层反应，该氧化物为___________。

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