单选题 适中0.65 引用2 组卷467
下列关于物质结构或性质及解释都正确的是
| 选项 | 物质结构或性质 | 解释 |
| A | 电子云半径： |  电子的能量高，在离核更远的区域出现的概率大 |
| B | 键角： |  的电负性比 大，孤电子对对成键电子对的斥力比较大 |
| C | 熔点： |  熔化时要断开化学键， 只需克服范德华力 |
| D | 稳定性： |  分子间可以形成氢键， 没有氢键 |
| A．A | B．B | C．C | D．D |
2022·浙江金华·模拟预测
类题推荐
下列关于物质的结构或性质以及解释均正确的是
| 选项 | 物质的结构或性质 | 解释 |
| A | 键角：NH3＞BF3 | NH3中N的孤电子对数比BF3中B的孤电子对数多 |
| B | 酸性：CF3COOH＞CCl3COOH | F的电负性大于Cl的电负性，使CF3COOH中羧基上的氢更易电离 |
| C | 熔点：碳化硅＞金刚石 | C﹣Si键能大于C﹣C键能 |
| D | 稳定性：H2O＞CH4 | H2O分子之间除了范德华力以外还存在氢键 |
| A．A | B．B | C．C | D．D |
下列关于物质结构或性质及解释都正确的是
| 物质结构或性质 | 解释 | |
| A | 键角： | N的电负性比P大，孤电子对对成键电子对的斥力比较大 |
| B | 稳定性：HF>HCl | HF分子间可以形成氢键，HCl没有氢键 |
| C | 配位键的稳定性： |  中O电负性更大，因而形成的配位键更稳定 |
| D | 电子云半径：2s<4s | 4s电子的能量高，在离核更远的区域出现的概率大 |
| A．A | B．B | C．C | D．D |
下列关于物质结构或性质及解释都正确的是
| 物质结构或性质 | 解释 | |
| A | 键角： | N的电负性比P大，孤电子对对成键电子对的斥力比较大 |
| B | 稳定性：HF>HCl | HF分子间可以形成氢键，HCl没有氢键 |
| C | 配位键的稳定性： | 中O电负性更大，因而形成的配位键更稳定 |
| D | 电子云半径：2s<4s | 4s电子能量高，在离核更远的区域出现的概率大 |
| A．A | B．B | C．C | D．D |
组卷网是一个信息分享及获取的平台，不能确保所有知识产权权属清晰，如您发现相关试题侵犯您的合法权益，请联系组卷网
