解答题-结构与性质 较易0.85 引用2 组卷279
金属和非金属分界线附近的元素(如Ga、Ge、As),可用于制造半导体材料,是科学研究的热点。试回答下列问题。
(1)锗(Ge)是一种重要的半导体材料,写出基态Ge原子的价层电子排布式:___________ 。
(2)利用离子液体[EMIM][]可电沉积还原金属Ge.结构如图所示。___________ (用元素符号表示)。
②的空间结构为___________ 。
(3)镓(Ga)位于元素周期表中第4周期第ⅢA族,其卤化物的熔点如下表:
的熔点比的高很多的原因是___________ 。
(4)GaAs是一种人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与金刚石相似,如图所示,若该立方晶胞参数为a nm。___________ 。
②已知阿伏加德罗常数的值为,GaAs的式量为,则GaAs晶体的密度为___________ g·cm(列计算式)。
(1)锗(Ge)是一种重要的半导体材料,写出基态Ge原子的价层电子排布式:
(2)利用离子液体[EMIM][]可电沉积还原金属Ge.结构如图所示。
①中各元素的电负性从小到大的顺序是:
②的空间结构为
(3)镓(Ga)位于元素周期表中第4周期第ⅢA族,其卤化物的熔点如下表:
熔点/℃ | 77.75 | 122.3 |
(4)GaAs是一种人工合成的新型半导体材料,其晶体结构与金刚石相似,如图所示,若该立方晶胞参数为a nm。
①晶体中与As原子距离最近且相等的Ga原子个数为
②已知阿伏加德罗常数的值为,GaAs的式量为,则GaAs晶体的密度为
22-23高二下·广东广州·期末
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掺杂了硒(Se)、 碲(Te) 固溶物的Ag2S是一种具有良好塑性和热电性能的柔性半导体材料,该材料能用于可穿戴式、植入式电子设备的制备。
回答下列问题:
(1)Ag的核外电子排布式是[Kr] 4d105s1,则Ag在元素周期表中的位置是_______ 。下列属于基态Ag+的电子排布式的是_______ (填标号)。
A. [Kr] 4d95s2 B. [Kr] 4dl0 C. [Kr] 4d95s1
(2)S、As、Se、Br在元素周期表中的位置关系如图所示,则As、Se、Br的第一电离能由大到小的顺序为_______ , 的空间构型为_______ 。
(3)金属Ge也是一种良好的半导体,利用离子液体[EMIM] [AlCl4]可电沉积还原金属Ge,该离子液体的熔点只有7℃,其中EMIM+结构如图所示。
①EMIM+中C原子的杂化类型是_______ 。
②EMIM+中σ键数: π键数=_______ 。
③该离子液体的熔点比较低的原因是_______ 。
(4)ZnS的立方晶胞结构如下图所示:
①ZnS晶体中,与S2-距离最近且等距的Zn2+的个数是_______ 。
②ZnS的晶胞边长为a pm,则晶体的密度为_______ g·cm-3(用含a、NA的代数式表示,NA为阿伏加德罗常数的值)。
回答下列问题:
(1)Ag的核外电子排布式是[Kr] 4d105s1,则Ag在元素周期表中的位置是
A. [Kr] 4d95s2 B. [Kr] 4dl0 C. [Kr] 4d95s1
(2)S、As、Se、Br在元素周期表中的位置关系如图所示,则As、Se、Br的第一电离能由大到小的顺序为
S | ||
As | Se | Br |
①EMIM+中C原子的杂化类型是
②EMIM+中σ键数: π键数=
③该离子液体的熔点比较低的原因是
(4)ZnS的立方晶胞结构如下图所示:
①ZnS晶体中,与S2-距离最近且等距的Zn2+的个数是
②ZnS的晶胞边长为a pm,则晶体的密度为
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