单选题 较易0.85 引用1 组卷320
GaAs是一种重要的半导体材料，熔点为1238℃，密度为
，其晶胞结构如图所示。已知阿伏伽德罗常数的值为
，MGaAs=l45g/mol，下列说法不正确的是
，其晶胞结构如图所示。已知阿伏伽德罗常数的值为，MGaAs=l45g/mol，下列说法不正确的是| A．As的配位数为4 |
| B．As在元素周期表的第15纵列，属于p区元素 |
| C．该晶体为离子晶体，是新型无机非金属材料 |
D．GaAs的晶胞边长为 |
2023·辽宁大连·模拟预测
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已知某离子晶体的晶胞如图所示，其摩尔质量为Mg/mol，阿伏加 德罗常数的值为NA，晶体的密度为dg/cm9。下列关于该晶体的说法正确的是
| A．晶胞中阴、阳离子的个数都为1 |
| B．阴、阳离子的配位数都是4 |
| C．该晶胞可能是NaCl的晶胞 |
D．该晶体中两个距离最近的阳离子的核间距为 |
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