工业上利用炼锌矿渣[含铁酸镓Ga₂(Fe₂O₄)₃、铁酸锌ZnFe₂O₄等铁的化合物]获得3种金属盐，并进一步制备半导体材料氮化镓GaN，部分工艺流程如图：
   
已知：
①常温下，浸出液中各离子形成氢氧化物沉淀的pH和金属离子在该工艺条件下的萃取率见表；

金属离子	Fe2+	Fe3+	Zn2+	Ga3+
开始沉淀pH	8.0	1.7	5.5	3.0
沉淀完全pH	9.6	3.2	8.0	4.8
萃取率(%)	0	99	0	97~98.5

②镓的化学性质与铝相似；
③当某离子浓度≤10^-5mol·L^-1时认为沉淀完全。
请回答：
(1)Ga₂(Fe₂O₄)₃中Ga的化合价为_______， 浸取前需对矿渣粉碎的目的是_______。
(2)“浸出”后①中加入H₂O₂的离子方程式为_______。
(3)处理浸出液时，调节pH至5.4的目的是_______。
(4)萃取前，加入的固体X为_______(填化学式)。
(5)反萃取后，镓元素的存在形式为_______ (填化学式)。
(6)GaN可采用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)技术制得：以“合成”步骤中产生的三甲基镓[Ga(CH₃)₃]为原料，使其与NH₃发生反应得到GaN和另一种产物，该过程的化学方程式为_______。
(7)滤液1中残留的镓离子的浓度为_______mol·L^-l。