单选题 适中0.65 引用1 组卷123
多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料。已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示。已知：SiHCl3遇水剧烈反应。下列说法错误的是
| A．Y、Z分别为H2、Cl2 |
B．制取粗硅过程可能发生反应：SiO2+3C SiC+2CO↑ |
| C．该制取流程中能循环利用的物质只有H2 |
| D．为防止SiHCl3与H2O反应而损失及氢气爆炸，“还原”步骤需在无水、无氧的条件下进行 |
22-23高一下·湖北恩施·期中
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多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料。已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示。下列说法错误的是
| A．Y、Z分别为H2、Cl2 |
B．制取粗硅过程可能发生反应：SiO2＋3C SiC＋2CO↑ |
| C．提纯SiHCl3可采用萃取、分液的方法 |
| D．SiHCl3和SiCl4形成的晶体均为共价晶体 |
多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制晶的主要原料。已知多晶硅第三代工业制取流程如图所示：
下列说法错误的是
下列说法错误的是
| A．Y、Z分别为H2、Cl2 |
| B．制取粗硅的过程中焦炭与石英会发生副反应生成碳化硅，在该副反应中，氧化剂与还原剂的物质的量之比为1：1 |
| C．SiHCl3极易水解，其完全水解的产物为H2SiO3、H2、HCl，据此推测SiHCl3中硅元素的化合价为+2价 |
| D．Y与SiHCl3制备多晶硅的反应属于置换反应 |
多晶硅是单质硅的一种形态，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅芯片的主要原料。已知第三代工业制取多晶硅流程如图所示：
下列说法正确的是
下列说法正确的是
A．Y、Z分别为 、 |
B．制取粗硅的过程中焦炭被氧化为 |
C．Y与 制备多晶硅的反应属于置换反应 |
D．已知电负性Cl＞H＞Si，则与水反应的产物只有 、HCl |
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