试题详情
解答题-结构与性质 较易0.85 引用1 组卷212
砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。
(1)基态Ga原子的价电子排布式为___________，其同周期元素中未成对电子数最多的是___________(填元素符号)。
(2)GaAs可用Ga(CH3)3(常温下为无色液体)和AsH3高温反应制得，同时生成另一种产物，写出反应方程式___________，另一种产物中心原子的杂化类型为___________。
(3)沸点AsH3_________NH3(填“>”、“<”、“=”)，原因是_________。
(4)GaAs的晶胞结构如图所示，As的配位数___________，若晶胞中距离最近的两个Ga原子距离为anm，阿伏加德罗常数的值为，则GaAs的密度为________。
2023·宁夏中卫·二模
收藏试题 下载试题 加入试题篮
知识点：电子排布式利用杂化轨道理论判断化学键杂化类型氢键对物质性质的影响晶胞的有关计算 答案解析 【答案】很抱歉，登录后才可免费查看答案和解析！
类题推荐
硅(Si)、硒(Se)、镓(Ga)、锗(Ge)的单质及某些化合物都是航空航天测控、光纤通信等领域常用的半导体材料。回答下列问题：
(1)制造手机芯片需要高纯度硅，晶体硅属于___________晶体，可溶于氢氟酸生成氢气。写出晶体硅与氢氟酸反应的化学方程式：___________。
(2)基态硒原子的价电子排布图为___________；硒、硅均能与氢元素形成气态氢化物，硅的氢化物的分子中共用电子对偏向氢原子，而氢气与硒反应时单质硒是氧化剂，则电负性大小为Se___________(填“>”或“<”)Si，的立体构型为___________。
(3)镓和砷都是第四周期的元素，则第一电离能：Ga___________(填“大于”或“小于”)As。GaN、GaAs的晶体类型与晶体硅相同，试解释，熔点GaN>GaAs的原因：___________。
(4)氮化镓是一种重要的半导体材料，其立方晶胞结构如图所示。每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数为___________。已知晶胞边长为apm，若该晶体的密度为，则阿伏加德罗常数的值___________(只列出计算式即可)。
镍与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：
(1)基态Ga原子的简化电子排布式为 _______；As元素在元素周期表中的位置为 _______，基态As原子核外有 _______个未成对电子。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ•mol-1)的数值依次为577、1984.5、2961.8、6192，由此可推知镓的主要化合价为 _______和 _______。N、Ga、As第一电离能由大到小的顺序为 _______。
(3)下列为镓的卤化物的熔点和沸点，其中GaF3晶体类型为 _______晶体，GaI3晶体类型为 _______晶体。
镓的卤化物GaF3GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃95077.75122.3211.5
沸点/℃>1000201.2279346
(4)三甲基镓[(CH3)3Ga]是制备有机镓化合物的中间体。在700℃时，(CH3)3Ga和AsH3反应得到GaAs，化学方程式为 _______。(CH3)3Ga中Ga原子的杂化方式为 _______，AsH3的空间构型是 _______。
(5)GaAs晶胞结构如图所示，Ga与As以 _______键键合；若晶胞参数为a=565pm，晶体的密度为 _______g•cm-3(设NA为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)

组卷网是一个信息分享及获取的平台，不能确保所有知识产权权属清晰，如您发现相关试题侵犯您的合法权益，请联系组卷网

组卷
试题篮
我的