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解答题-无机推断题 较难0.4 引用2 组卷288
已知X、Y、Z、M、Q、E为原子序数依次增大的前四周期元素,X的核外电子总数与其电子层数相同,Y元素基态原子中s电子总数与p电子总数相等,Z在元素周期表中电负性最大,M元素原子半径在同周期中最大,Q元素基态原子最外层电子排布式为,基态E原子d轨道中成对电子与成单电子的数目比为4∶3。回答下列问题:
(1)E在周期表中的位置为_______,其基态原子的价层电子的轨道表示式为_______;其基态原子的核外空间运动状态不同的电子有_______种。
(2)Y、Z、M、Q简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示)_______
(3)是有机合成的重要还原剂,利用遇水反应生成的氢气的体积测定样品纯度。
与水反应后的溶液中仅有一种溶质,且溶液显碱性,则与水反应的化学方程式为_______
②现设计如图四种装置测定样品的纯度(即质量分数),假设杂质不参与反应。

从简约性、准确性角度考虑,最适宜的方案是_______ (填编号)。

③取样品0.0100g,若实验测得氢气的体积为14.56mL(已换算为标准状况),则样品纯度为_______
22-23高二上·湖南长沙·期末
知识点:根据原子结构进行元素种类推断 答案解析 【答案】很抱歉,登录后才可免费查看答案和解析!
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已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期,N、X最外层电子数相同,物质A由原子序数依次增大的元素X、Y、Z组成,其中Z的简单离子半径在同周期中最小,X、Y、Z简单离子的核外电子排布相同,物质A的结构式如下图所示:

回答下列问题:
(1)请写出YM的电子式:_______
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示):_______
(3)在YZO2与YX的混合液中,通入足量CO2,是工业制取A的一种方法,写出该反应的化学方程式:_______
(4)镓(31Ga)与Z为同主族元素,氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料,具有耐高温、耐高电压等特性,随着5G技术的发展,它们的商用价值进入“快车道”。下列有关说法正确的是_______
a. Ga位于元素周期表第四周期IVA族
b. GaN为新型无机非金属材料
c. Ga的最高价氧化物对应水化物的碱性比Z元素最高价氧化物对应水化物的碱性强
d. 酸性:H3AsO4>H3PO4>HNO3
(5)YZM4是有机合成的重要还原剂,其合成路线如图所示

利用YZM4遇水反应生成的氢气的体积测定YZM4样品纯度。
①其反应的化学方程式为_______
②现设计如图四种装置测定YZM4样品的纯度(假设杂质不参与反应)。

从简约性、准确性考虑,最适宜的方案是_______(填编号)。
③取样品ag,若实验测得氢气的体积为V L(标准状态),则YZM4样品纯度为_______(用代数式表示)。
已知短周期元素M、N、X、Y、Z分布在三个周期,N、X最外层电子数相同,物质A由原子序数依次增大的元素X、Y、Z组成,其中Z的简单离子半径在同周期中最小,X、Y、Z简单离子的核外电子排布相同,物质A的结构式如图所示:

回答下列问题:
(1)Y、Z元素的中文名称为徐寿确定并使用至今,Y在周期表中的位置是___________,写出YM的电子式:___________
(2)N、X、Y、Z简单离子的半径由大到小的顺序(用对应离子符号表示):___________
(3)在YZO2,与YX的混合液中,通入足量CO2,是工业制取A的一种方法,写出该反应的化学方程式:___________
(4)镓(31Ga)与Z为同主族元素,氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)作为第三代半导体材料,具有耐高温、耐高电压等特性,随着5G技术的发展,它们的商用价值进入“快车道”。废弃的含GaAs的半导体材料可以用浓硝酸溶解,生成H3AsO4和Ga(NO3)3,其中硝酸被还原为NO2写出该反应的化学方程式为___________
(5)YZM4是有机合成的重要还原剂,其合成路线如图所示:,利用YZM4遇水反应生成的氢气的体积测定YZM4样品纯度。
①其反应的化学方程式为___________
②现设计如图四种装置测定YZM4样品的纯度(假设杂质不参与反应)。

从简约性、准确性考虑,最适宜的方案是___________(填编号)。
③取样品a g,若实验测得氢气的体积为V mL(标准状态),则YZM4样品纯度为___________(用代数式表示)。

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