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单选题 较易0.85 引用1 组卷210
CrSi，Ge-GaAs、聚吡咯和碳化硅都是重要的半导体化合物。下列说法正确的是
A．碳化硅属于分子晶体，其熔、沸点均大于金刚石
B．Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从小到大的顺序为As＜Ge＜Ga
C．聚吡咯的单体为吡咯()，分子中σ键与π键的数目之比为5：2
D．基态铬与氮原子的未成对电子数之比为2：1
22-23高三上·辽宁盘锦·期末
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知识点：电子排布式电离能变化规律键能、键长、键角及应用晶体的类型与物质熔点、硬度、导电性的关系 答案解析 【答案】很抱歉，登录后才可免费查看答案和解析！
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CrSi、Ge­GaAs、ZnGeAs2、聚吡咯、碳化硅和氧化亚铜都是重要的半导体化合物。请回答下列问题：
(1)基态铬原子的核外电子排布式为_______，其中未成对电子数为_______。
(2)Ge­GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从大到小的顺序为_______。ZnGeAs2中Zn、Ge、As的电负性从大到小的顺序为_______。
(3)聚吡咯的单体为吡咯(—H)，该分子中氮原子的杂化轨道类型为_______；分子中σ键与π键的数目之比为_______。
(4)碳化硅、晶体硅及金刚石的熔点如下表：
物质碳化硅晶体硅金刚石
熔点/℃2 9731 4103 550～4 000
分析熔点变化规律及其差异的原因：________。
(5)氧化亚铜的熔点为1 235 ℃，其固态时的单晶胞如图所示。

氧化亚铜属于_______晶体。
CrSi、Ge-GaAs、ZnGeAs2、聚吡咯、碳化硅和氧化亚铜都是重要的半导体化合物。回答下列问题：
(1)基态铬原子的核外电子排布式为___________，其中未成对电子数为____________。
(2) Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从大到小的顺序为_______________。ZnGeAs2中 Zn、Ge、As 的电负性从大到小的顺序为________________。
(3) 聚吡咯的单体为吡咯()，该分子中氮原子的杂化轨道类型为__________；分子中σ键与π键的数目之比为________________。
(4)碳化硅、晶体硅及金刚石的熔点如下表：
立方碳化硅晶体硅金刚石
熔点/℃297314103550～4000

分析熔点变化规律及其差异的原因：__________________________________________________。
(5)氧化亚铜的熔点为1235℃，其固态时的单晶胞如下图所示。

①氧化亚铜属于__________晶体。
②已知Cu2O的晶胞参数a=425.8pm,则其密度为__________ g·cm-3 (列出计算式即可)。

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