锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。回答下列问题：
(1)基态 Ge 原子的简化电子排布式为 _______ 。
(2)Ge 与 C 是同族元素，C 原子之间可以形成双键、三键，但 Ge 原子之间难以形成双键或三键。从原子结构角度分析，原因是_______   。
(3)比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_______。

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔点/℃	-49.5	26	146
沸点/℃	83.1	186	约400

(4)Ge 单晶具有金刚石型结构，其中 Ge 原子的杂化方式为_______，微粒之间存在的作用力是_______。
(5)晶胞有两个基本要素：①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置，下图为 Ge 单晶的晶胞，其中原子坐标参数 A 为(0， 0，0)；B 为(1/2 ，0，1/2)；C 为(1/2 ，1/2 ，0)；则 D 原子的坐标参数为_______。与 C 原子最近的原子有_______个。

②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状，已知 Ge 单晶的晶胞参数 a=565.76 pm，其密度为_______g·cm^-3(列出计算式即可)。