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解答题-结构与性质 适中0.65 引用1 组卷61
镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为_______，基态As原子核外有_______个未成对电子。
镓的卤化物GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346
(2)①比较上述镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：_______。
②GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是_______。
(3)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，晶体的密度为_______ g·cm-3 (列出算式即可。设NA为阿伏加德罗常数的数值，已知相对原子质量：Ga-70，As-75)。
21-22高二下·福建三明·期中
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知识点：电子排布式晶胞的有关计算分子晶体离子晶体 答案解析 【答案】很抱歉，登录后才可免费查看答案和解析！
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砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：
（1）Ga基态原子核外电子排布式为________________,As基态原子核外有__________个未成对电子。
（2）Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是__________,Ga、As、Se的电负性由大到小的顺序是__________________。
（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：________,GaF的熔点超过1000℃，可能的原因是__________________________。
镓的卤化物CaCl3CaBr3CaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346
（4）二水合草酸镓的结构如图1所示，其中镓原子的配位数为__________，草酸根离子中碳原子的杂化轨道类型为__________。
（5）砷化镓的立方晶胞结构如图2所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为__________g·cm-3(设NA为阿伏加 德罗常数的值，列出计算式即可）。
砷化镓是继硅之后研究最深入、应用最广泛的半导体材料。回答下列问题：
（1）Ga基态原子核外电子排布式为______________，As基态原子核外有______个未成对电子。
（2）Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是_________________Ga、As、Se的电负性由大到小的顺序是_________________。
（3）比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及其原因：___________________。
镓的卤化物GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346

（4）二水合草酸镓的结构式如图所示，其中镓原子的配位数是______，草酸根离子中的原子杂化轨道类型是___________。
（5）砷化镓的立方晶胞如图所示，晶胞参数为a=0.565nm，砷化镓晶体的密度为________g/cm3（设NA为阿伏加 德罗常数的值，列出计算式即可）。。
      
镍与VA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)，回答下列问题：
(1)基态Ga原子的核外电子排布式为__________，占据最高能级的电子云轮廓图形状为_________。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位: kJ/mol)的数值依次为577、1984.5. 2961.8、6192，由此可推知镓的主要化合价为_______和+3。
(3)Ga、As、Se的第一电离能由大到小的顺序是__________。
(4)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：__________。
镓的卤化物GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346
(5)AsH3的沸点比NH3低，原因是__________。
(6)二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为______，草酸根中碳原子的杂化方式为__________。
   
(7)砷化镓晶胞结构如下图所示，晶胞参数为a=565 pm，熔点为1238℃。其固体属于________晶体，晶体的密度为_________g/cm3(设NA为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)。
   

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