单选题 适中0.65 引用34 组卷2012
工业上利用Ga与NH3高温条件下合成半导体材料氮化镓(GaN)固体同时有氢气生成。反应中,每生成3mol H2时放出30.8 kJ的热量。恒温恒容密闭体系内进行上述反应,下列有关表达正确的是
A.Ⅰ图像中如果纵坐标为正反应速率,则t时刻改变的条件可以为升温或加压 |
B.Ⅱ图像中纵坐标可以为镓的转化率 |
C.Ⅲ图像中纵坐标可以为化学反应速率 |
D.Ⅳ图像中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量 |
2019·湖北·一模
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氮化镓(GaN)是一种直接能隙的半导体,是一种用途广泛的新材料。工业上利用Ga与高温条件下合成。反应方程式为 。如图,恒温恒容密闭体系内进行上述反应,下列说法正确的是
A.图Ⅰ可以表示催化剂对平衡的影响 |
B.图Ⅱ可以表示压强对平衡时体积分数的影响 |
C.图Ⅲ可以表示镓的质量对平衡常数的影响 |
D.图Ⅳ中纵坐标可以为体系内混合气体的密度 |
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