解答题-结构与性质 较难0.4 引用14 组卷8983
硅、锗(Ge)及其化合物广泛应用于光电材料领域。回答下列问题：
(1)基态硅原子最外层的电子排布图为_______ ，晶体硅和碳化硅熔点较高的是_______ (填化学式)；
(2)硅和卤素单质反应可以得到
，的熔沸点如下表：
①0℃时，
、
、
、
呈液态的是____ (填化学式)，沸点依次升高的原因是_____ ，气态分子的空间构型是_______ ；
②与N-甲基咪唑
反应可以得到
，其结构如图所示：
N-甲基咪唑分子中碳原子的杂化轨道类型为_______ ，H、C、N的电负性由大到小的顺序为_______ ，1个中含有_______ 个
键；
(3)下图是
、
、
三种元素形成的某化合物的晶胞示意图。
①已知化合物中和的原子个数比为1：4，图中Z表示_______ 原子(填元素符号)，该化合物的化学式为_______ ；
②已知该晶胞的晶胞参数分别为anm、bnm、cnm，
，则该晶体的密度
_______ 
(设阿伏加德罗常数的值为
，用含a、b、c、的代数式表示)。
(1)基态硅原子最外层的电子排布图为
(2)硅和卤素单质反应可以得到
，的熔沸点如下表： | | | | |
| 熔点/K | 183.0 | 203.2 | 278.6 | 393.7 |
| 沸点/K | 187.2 | 330.8 | 427.2 | 560.7 |
、、、呈液态的是分子的空间构型是②
与N-甲基咪唑 反应可以得到，其结构如图所示：N-甲基咪唑分子中碳原子的杂化轨道类型为
中含有键；(3)下图是
、、三种元素形成的某化合物的晶胞示意图。①已知化合物中
和的原子个数比为1：4，图中Z表示②已知该晶胞的晶胞参数分别为anm、bnm、cnm，
，则该晶体的密度(设阿伏加德罗常数的值为，用含a、b、c、的代数式表示)。2021·湖南·高考真题
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硅、锗(Ge)及其化合物广泛应用于光电材料领域。回答下列问题：
(1)比较硅与锗的第一电离能大小：Si____ Ge(填“＞”或“＜”)。
(2)太阳能电池板主要材料为单晶硅或多晶硅。单晶硅的晶体类型为____ 。SiCl4是生产高纯硅的前驱体，其分子的空间构型是_____ 。SiCl4可发生水解反应，反应机理如图：_____ (填标号)。
(3)硅和卤素单质反应可以得到SiX4(X表示F、Cl、Br、I)，表数据分别是四种不同SiX4的熔沸点：
①0℃时，呈液态的是____ (填编号)，其化学式为____ 。
____ ，1个M2+中含有____ 个σ键。
(4)如图是Mg、Ge、O三种元素形成的某化合物的晶胞示意图。____ 。
②已知该晶胞的晶胞参数分别为anm、bnm、cnm，α=β=γ=90°，则该晶体的密度ρ=____ g•cm-3。用含a、b、c、NA的代数式表示)。
(1)比较硅与锗的第一电离能大小：Si
(2)太阳能电池板主要材料为单晶硅或多晶硅。单晶硅的晶体类型为
(3)硅和卤素单质反应可以得到SiX4(X表示F、Cl、Br、I)，表数据分别是四种不同SiX4的熔沸点：
①0℃时，呈液态的是
| I | II | III | IV | |
| 熔点/K | 183.0 | 278.6 | 393.7 | 203.2 |
| 沸点/K | 187.2 | 427.2 | 560.7 | 330.8 |
②SiCl4与N－甲基咪唑(
)反应可以得到M2+，其结构如图所示：
(4)如图是Mg、Ge、O三种元素形成的某化合物的晶胞示意图。
②已知该晶胞的晶胞参数分别为anm、bnm、cnm，α=β=γ=90°，则该晶体的密度ρ=
含镓(Ga)化合物在半导体材料、医药行业等领域发挥重要作用。回答下列问题：
(1)基态镓原子最外层的电子排布图为___________ 。
(2)Ga与Zn的第一电离能大小关系为：Ga___________ Zn(填“＞”“＜”或“=”)。
(3)
的熔沸点如下表所示。
①100℃，
、
和
呈液态的是___________ (填化学式)，沸点依次升高的原因是___________ 。
②
的熔点约1000℃，远高于的熔点，原因是___________ 。
(4)镓配合物具有高的反应活性和良好的选择性。在药物领域得到广泛的关注。与2-甲基8-羟基喹啉(
)在一定条件下反应可以得到一种喹啉类镓配合物(M)，其结构如图所示。2-甲基-8-羟基喹啉分子中碳原子的杂化轨道类型为___________ ；H、C、N的原子半径由大到小的顺序为___________ 。
(5)作为第二代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓是由
和
在一定条件下制备得到，同时得到另一物质，该物质分子是___________ (填“极性分子”或“非极性分子”)， 分子的空间形状为___________ 。
(6)GaN是制造LED的重要材料，被誉为“第三代半导体材料”。其晶体结构如图所示：
①在GaN晶体中，距离每个Ga原子最近的Ga原子有___________ 个，N原子的配位数为___________ 。
②GaN的密度为___________ 
。(设阿伏加德罗常数的值为
，用含a、c、的代数式表示)
(1)基态镓原子最外层的电子排布图为
(2)Ga与Zn的第一电离能大小关系为：Ga
(3)
的熔沸点如下表所示。| 镓的卤化物 | | | |
| 熔点/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸点/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
、和呈液态的是②
的熔点约1000℃，远高于的熔点，原因是(4)镓配合物具有高的反应活性和良好的选择性。在药物领域得到广泛的关注。
与2-甲基8-羟基喹啉()在一定条件下反应可以得到一种喹啉类镓配合物(M)，其结构如图所示。2-甲基-8-羟基喹啉分子中碳原子的杂化轨道类型为(5)作为第二代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓是由
和在一定条件下制备得到，同时得到另一物质，该物质分子是分子的空间形状为(6)GaN是制造LED的重要材料，被誉为“第三代半导体材料”。其晶体结构如图所示：
①在GaN晶体中，距离每个Ga原子最近的Ga原子有
②GaN的密度为
。(设阿伏加德罗常数的值为，用含a、c、的代数式表示) 硅、锗(Ge)及其化合物广泛应用于光电材料领域，钙钛矿(
)型化合物是一类可用于生产太阳能电池的功能材料。回答下列问题：
(1)太阳能电池板主要材料为单晶硅。基态
原子价层电子排布式为_______ ，单晶硅的晶体类型为_______ 。
(2)硅和卤素单质反应可以得到硅的卤化物()，的熔点和沸点如下表：
沸点依次升高的原因是_______ 。
(3)钙钛矿的晶胞如图所示，其组成元素的电负性大小顺序是_______ 。
与
间的作用力为_______ ，该晶体中每个钛离子周围与它最近且相等距离的钛离子有_______ 个。
(4)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标。下图为Ge单晶的晶胞，原子坐标参数A为(0，0，0)；B为(
，0，)C为(，，0)，则D原子的坐标参数为_______ 。
已知Ge单晶属于立方晶系，晶胞参数为
，阿伏加德罗常数的值为，则该晶体的密度为_______ (列出计算式)。
)型化合物是一类可用于生产太阳能电池的功能材料。回答下列问题：(1)太阳能电池板主要材料为单晶硅。基态
原子价层电子排布式为(2)硅和卤素单质反应可以得到硅的卤化物(
)，的熔点和沸点如下表： | | | | |
| 熔点/℃ | -90.2 | -70.4 | 5.2 | 120.5 |
| 沸点/℃ | -85.8 | 57.8 | 154.2 | 287.7 |
(3)钙钛矿
的晶胞如图所示，其组成元素的电负性大小顺序是与间的作用力为(4)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标。下图为Ge单晶的晶胞，原子坐标参数A为(0，0，0)；B为(
，0，)C为(，，0)，则D原子的坐标参数为已知Ge单晶属于立方晶系，晶胞参数为
，阿伏加德罗常数的值为，则该晶体的密度为(列出计算式)。 组卷网是一个信息分享及获取的平台，不能确保所有知识产权权属清晰，如您发现相关试题侵犯您的合法权益，请联系组卷网
