单选题 适中0.65 引用8 组卷808
制造芯片用到高纯硅，用SiHCl3(沸点：31.85℃，SiHCl3遇水会剧烈反应，除生成H2SiO3、HCl外，还生成一种气体a)与过量H2在1100～1200℃反应制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去)，下列说法错误的是
| A．实验时，先打开装有稀硫酸仪器的活塞，收集尾气验纯，再预热装置Ⅳ石英管 |
| B．装置Ⅱ、Ⅲ中依次盛装的是浓H2SO4、温度高于32℃的温水 |
| C．Ⅰ装置可用于二氧化锰固体与浓盐酸反应制备氯气 |
| D．a气体为H2 |
20-21高三上·江西·阶段练习
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5G商用加速推出，凝结着新时代奋斗者的心血和汗水，彰显了不同凡响的中国风采、中国力量。而制造芯片用到高纯硅，用SiHCl3(沸点：31.85℃，SiHCl3遇水会剧烈反应，除生成H2SiO3、HCl外，还生成一种气体a)与过量H2在1100～1200℃反应制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去)，下列说法错误的是
| A．实验时，先打开装有稀硫酸仪器的活塞，收集尾气验纯，再预热装置Ⅳ石英管 |
| B．装置Ⅱ、Ⅲ中依次盛装的是浓H2SO4、温度高于32℃的温水 |
| C．将I装置中稀硫酸改用浓硫酸，会使反应速率加快 |
| D．高温下，a气体的还原性强于硅 |
制造芯片用到高纯硅，用SiHCl3(沸点：31.85℃，SiHCl3遇水会剧烈反应，易自燃)与过量H2在1100~1200℃反应制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去)，下列说法不正确的是
| A．整个实验的关键是控温、检查装置气密性和排尽装置中的空气 |
| B．装置II、III中依次盛装的是浓H2SO4、温度高于32℃的温水 |
| C．实验时，先打开装有稀硫酸仪器的活塞，收集尾气验纯，再预热装置IV石英管 |
| D．尾气处理可直接通入NaOH溶液中 |
实验室用H2还原SiHCl3(沸点：31.85℃)制备高纯硅的装置如图所示(夹持装置和尾气处理装置略去)，下列说法正确的是
| A．装置Ⅱ、Ⅲ中依次盛装的是浓H2SO4、冰水 |
| B．实验时，应先加热管式炉，再打开活塞K |
| C．为鉴定制得的硅中是否含微量铁单质，需要用到的试剂为盐酸、双氧水、硫氰化钾溶液 |
| D．该实验中制备氢气的装置也可用于稀氢氧化钠溶液与氯化铵固体反应制备氨 |
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