单选题 适中0.65 引用4 组卷471
CrSi，Ge－GaAs、聚吡咯和碳化硅都是重要的半导体化合物。下列说法正确的是
| A．基态铬原子的核外未成对电子数为6 |
| B．Ge－GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从小到大的顺序为As＜Ge＜Ga |
C．聚吡咯的单体为吡咯( )，分子中σ键与π键的数目之比为5：2 |
| D．碳化硅属于分子晶体，其熔、沸点均大于金刚石 |
20-21高三上·辽宁·阶段练习
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CrSi、Ge—GaAs、ZnGeAs2和碳化硅都是重要的半导体化合物，下列说法错误的是
| A．基态铬原子的价电子排布式为3d54s1 |
| B．Ge—GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能由大到小的顺序为As>Ga>Ge |
| C．ZnGeAs2中元素Zn、Ge、As的电负性由大到小的顺序为As>Ge>Zn |
| D．碳化硅属于原子晶体，其熔沸点均大于晶体硅 |
CrSi、Ge-GaAs、ZnGeAs2、聚吡咯、碳化硅和氧化亚铜都是重要的半导体化合物。回答下列问题：
(1)基态铬原子的核外电子排布式为___________ ，其中未成对电子数为____________ 。
(2) Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从大到小的顺序为_______________ 。ZnGeAs2中 Zn、Ge、As 的电负性从大到小的顺序为________________ 。
(3) 聚吡咯的单体为吡咯(
)，该分子中氮原子的杂化轨道类型为__________ ；分子中σ键与π键的数目之比为________________ 。
(4)碳化硅、晶体硅及金刚石的熔点如下表：
分析熔点变化规律及其差异的原因：__________________________________________________ 。
(5)氧化亚铜的熔点为1235℃，其固态时的单晶胞如下图所示。
①氧化亚铜属于__________ 晶体。
②已知Cu2O的晶胞参数a=425.8pm,则其密度为__________ g·cm-3 (列出计算式即可)。
(1)基态铬原子的核外电子排布式为
(2) Ge-GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能从大到小的顺序为
(3) 聚吡咯的单体为吡咯(
)，该分子中氮原子的杂化轨道类型为(4)碳化硅、晶体硅及金刚石的熔点如下表：
| 立方碳化硅 | 晶体硅 | 金刚石 | |
| 熔点/℃ | 2973 | 1410 | 3550～4000 |
分析熔点变化规律及其差异的原因：
(5)氧化亚铜的熔点为1235℃，其固态时的单晶胞如下图所示。
①氧化亚铜属于
②已知Cu2O的晶胞参数a=425.8pm,则其密度为
CrSi、Ge—GaAs、ZnGeAs2和碳化硅都是重要的半导体化合物，下列说法错误的是
| A．基态铬原子的价电子排布式为3d54s1 |
| B．酸性：H2SiO3<H2CO3 |
| C．ZnGeAs2中元素Zn、Ge、As的电负性由大到小的顺序为As>Ge>Zn |
| D．Ge—GaAs中元素Ge、Ga、As的第一电离能由大到小的顺序为As>Ga>Ge |
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