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解答题-结构与性质 适中0.65 引用1 组卷44
以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能仅为10%，推广砷化镓等发光二极管(LED)照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
(1)镓为元素周期表第31号元素，基态镓原子的电子排布式为___________，核外电子占据最高能层符号为________。
(2)氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合，氮化镓属于_______晶体。
(3)下列说法正确的是_______
A.第一电离能：As < Ga             B.砷和镓都属于p区元素
C.电负性：As < Ga　                 D.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(4)①砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：____________________。
②反应物AsH3分子的几何构型为_______，(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为___。
19-20高二下·内蒙古通辽·期中
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知识点：物质结构与性质综合考查电离能变化规律电负性概念利用杂化轨道理论判断化学键杂化类型 答案解析 【答案】很抱歉，登录后才可免费查看答案和解析！
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砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转变为光能，砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能只有其10%，推广砷化镓等发光二极管(LED)照明，是节能减排的有效举措，已知砷化镓的晶胞结构如右图。试回答下列问题

(1)下列说法正确的是_______ (选填序号)。
A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同   
B.第一电离能：As>Ga
C.电负性：As>Ga
D.砷和镓都属于p区元素
E.半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
(2)砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD方法制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为：_______。AsH3空间形状为：_______ (CH3)3Ga中镓原子杂化方式为：_______。
(3)Ga的核外电子排布式为：_______。
(4)AsH3沸点比NH3低，其原因是：_______。
以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能即为10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
(1)基态镓原子的价电子排布式为___。
(2)镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为__和+3。砷的电负性比镓__(填“大”或“小”)。
(3)比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高，分析其变化原因：__。
镓的卤化物GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346
GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是__。
(4)①砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：___。
②反应物AsH3分子的几何构型为__，(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为__。
(5)砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，As的配位数为__，晶体的密度为__(设NA为阿伏加 德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。
砷化镓(GaAs)灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能即为10%，推广砷化镓(GaAs)、 氮化镓(GaN)等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
(1)基态N原子核外电子排布图为 _____________________ ；Ga与Al同主族，且位于Al的下一周期，则基态Ga原子的价电子排布式为   ________________。
(2)Ga的电负性比As______（填“大”或“小”）；Ga逐级失去电子的电离能 （单位：kJ·mol-1）的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知Ga的主要化合价为__和+3。
(3)比较下列Ga的卤化物的熔点和沸点， GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸点依次升高, 分析其变化的原因是：_____________________________________________________。
镓的卤化物GaCl3GaBr3GaI3
熔点/℃77.75122.3211.5
沸点/℃201.2279346

GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是____________________________。
(4)GaAs是将(CH3)3Ga和AsH3用金属有机物化学气相淀积方法制备得到，该反应在700℃下进行
①则该反应的化学方程式为：____________________________________________。
②反应物AsH3分子的几何构型为________________，(CH3)3Ga中镓原子杂化方式为____________________。

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