解答题 较难0.4 引用2 组卷729
离子注入是芯片制造中一道重要工序,如图是其工作示意图,离子源发出质量为m的离子沿水平方向进入速度选择器,然后从M点进入磁分析器(截面为内外半径分别为
和
的四分之一圆环),从N点射出,M、N分别为磁分析器
边界和
边界的中点,接着从棱长为L的正方体偏转系统上表面中心沿
竖直注入,偏转后落在与偏转系统底面平行的距离为
的水平面晶圆上(O为坐标原点)。已知各器件的电场强度均为E,磁感应强度均为B,偏转系统中的电场、磁场方向与晶圆面x轴正方向同向。不计离子重力,打在晶圆上的离子,经过偏转系统的角度都很小。当
很小时,有
。求:
(1)离子通过速度选择器后的速度大小v及磁分析器选择出来离子的电荷量;
(2)偏转系统仅加电场时,离子在穿出偏转系统整个过程中电势能的变化量;
(3)偏转系统仅加磁场时,离子注入晶圆的位置坐标
(用
、
及L表示)。
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/4/17/f1d8f5f3-7372-4d80-8018-934859b6299a.png?resizew=398)
(1)离子通过速度选择器后的速度大小v及磁分析器选择出来离子的电荷量;
(2)偏转系统仅加电场时,离子在穿出偏转系统整个过程中电势能的变化量;
(3)偏转系统仅加磁场时,离子注入晶圆的位置坐标
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2023/4/17/f1d8f5f3-7372-4d80-8018-934859b6299a.png?resizew=398)
2023·重庆·二模
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