解答题 适中0.65 引用2 组卷283
图甲是离子注入系统,它是一种对半导体进行掺杂的方法,可以改变半导体材料的成分和性质。图乙是它的简化示意图,由离子源、加速器、质量分析器、磁偏转室和注入靶组成。初速度近似为0的正离子从离子源飘入加速器,加速后的成为高能离子,离子沿质量分析器的中轴线运动并从F点射出,然后垂直磁偏转室的边界从P点进入,离子在磁偏转室中速度方向偏转90°后垂直边界从Q点射出,最后垂直打到注入靶上。已知质量分析器的C、D两极板电势差为U,板间距离为d;磁偏转室的圆心为O,O与P之间的距离为L,内部匀强磁场的磁感应强度为B;正离子的质量为m、电荷量为q,不考虑离子的重力及离子间的相互作用。
(1)求加速器A、B两极板的电势差
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(2)质量分析器内磁场的磁感应强度B1。
![](https://img.xkw.com/dksih/QBM/editorImg/2022/7/16/30d8ddf9-85f9-438f-8896-9e5ac56740cf.png?resizew=404)
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(1)求加速器A、B两极板的电势差
(2)质量分析器内磁场的磁感应强度B1。
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21-22高二下·陕西渭南·期末
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