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解答题 适中0.65 引用2 组卷283
图甲是离子注入系统,它是一种对半导体进行掺杂的方法,可以改变半导体材料的成分和性质。图乙是它的简化示意图,由离子源、加速器、质量分析器、磁偏转室和注入靶组成。初速度近似为0的正离子从离子源飘入加速器,加速后的成为高能离子,离子沿质量分析器的中轴线运动并从F点射出,然后垂直磁偏转室的边界从P点进入,离子在磁偏转室中速度方向偏转90°后垂直边界从Q点射出,最后垂直打到注入靶上。已知质量分析器的CD两极板电势差为U,板间距离为d;磁偏转室的圆心为OOP之间的距离为L,内部匀强磁场的磁感应强度为B;正离子的质量为m、电荷量为q,不考虑离子的重力及离子间的相互作用。
(1)求加速器AB两极板的电势差
(2)质量分析器内磁场的磁感应强度B1
21-22高二下·陕西渭南·期末
知识点:基于速度选择器的质谱仪 答案解析 【答案】很抱歉,登录后才可免费查看答案和解析!
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