2021年6月，我国芯片进口总额达到380亿美元，这是为了满足智能手机、汽车、电脑、家用电器等相关产业的巨大需求。物理气相沉积是在真空条件下，通过低压气体或等离子体，将采用物理方法变为气态的材料沉积到基体表面形成薄膜的技术。该技术是芯片制作的关键环节之一，如图是该技术的原理简图。初速度为零的氩离子经电压为的电场加速后，从A点以大小为、方向水平向右的速度进入竖直向下、电场强度大小为E的匀强电场中，恰好打到电场、磁场的竖直分界线Ⅰ最下方的M点（未进入磁场）并被位于该处的金属靶材全部吸收，A、M两点的高度差为0.5m。靶材溅射出的部分金属离子沿各个方向进入两匀强磁场区域，并沉积在固定基底上。基底与水平方向夹角为45°，磁感应强度大小均为B、方向相反（均垂直纸面）的两磁场的分界线Ⅱ过M点且与基底垂直。已知，，，金属离子比荷，两种离子均带正电，忽略离子的重力和离子间的相互作用。
（1）求氩离子比荷；
（2）求A、M两点间的水平距离；
（3）若金属离子进入磁场的速度大小均为，M点到基底的距离为，求在纸面内，基底上可被金属离子打中而镀膜的区域长度。