单选题-单题 较易0.85 引用3 组卷731
在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的离子P+和P3+，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里，有一定的宽度的匀强磁场区域，如图所示。已知离子P+在磁场中转过θ=30°后从磁场右边界射出。在电场和磁场中运动时，离子P+和P3+（ ）
| A．在磁场中运动的半径之比为3∶1 | B．在电场中的加速度之比为1∶1 |
| C．在磁场中转过的角度之比为1：2 | D．离开电场区域时的动能之比为1： |
21-22高二上·山西晋城·阶段练习
类题推荐
，经电压为
的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为
、方向垂直纸面向里、有一定宽度的平行双边界匀强磁场区域，如图所示，已知离子
后从磁场右边界射出。已知磷离子
，带电量为
，忽略重力影响，求：
；
。
），经电压为U的电场加速后，垂直磁场边界进入宽度为d的匀强磁场区域，转过一定角度后从磁场射出，并注入半导体工件内部达到掺杂的目的。已知磁感应强度大小为
、方向垂直纸面向里，求：
组卷网是一个信息分享及获取的平台，不能确保所有知识产权权属清晰，如您发现相关试题侵犯您的合法权益，请联系组卷网
