单选题-单题 适中0.65 引用4 组卷708
如图所示，矩形闭合导体框在水平边界PQ的上方，PQ下方足够大的区域内存在水平向里的匀强磁场，当矩形闭合导体框abcd从PQ上方由静止释放时，导体框下落过程形状不变，ab边始终保持与PQ平行，导体框所在平面与磁场方向垂直。若将导体框从PQ上方某一高度H处由静止释放，结果导体框恰好匀速进入磁场。现将导体框从PQ上方低于H处由静止释放并开始计时，用
、
分别表示导体框ab边和cd边刚进入磁场的时刻，不计空气阻力，下列反映导体框下落过程中速度v随时间t变化规律的图像中，可能正确的是（ ）
、分别表示导体框ab边和cd边刚进入磁场的时刻，不计空气阻力，下列反映导体框下落过程中速度v随时间t变化规律的图像中，可能正确的是（ ）A． | B． | C． | D． |
2020·陕西渭南·一模
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边和
边刚进入磁场的时刻，用
、
分别表示线框
随时间
变化规律的图象有可能的是
如图甲所示，质量为m的均匀矩形闭合线框在磁感应强度大小为B的匀强磁场上方由静止释放并开始计时，、分别表示线框ab边和cd边刚进入磁场的时刻．线框下落过程形状不变，ab边始终保持与磁场水平边界
平行，线框平面与磁场方向垂直，下方磁场区域足够大，线框下落过程中速度v随时间t变化的规律如图乙所示．已知ab边的长度为L，线框的总电阻为R，重力加速度大小为g，不计空气阻力的影响，下列说法正确的是（ ）
、分别表示线框ab边和cd边刚进入磁场的时刻．线框下落过程形状不变，ab边始终保持与磁场水平边界平行，线框平面与磁场方向垂直，下方磁场区域足够大，线框下落过程中速度v随时间t变化的规律如图乙所示．已知ab边的长度为L，线框的总电阻为R，重力加速度大小为g，不计空气阻力的影响，下列说法正确的是（ ）A．ab边刚进入场时的速度大小为 |
B．释放时，ab边到的距离为 |
C．释放时，ab边到的距离为 |
D．ad边的长度为 |
，边长为
（
）的正方形闭合线框abcd可从磁场上方不同高度由静止释放，线框下落过程形状不变，ab边始终保持与磁场边界平行，线框平面与磁场方向垂直。不计空气阻力，
、速度
、重力势能
与下落高度
的关系图像可能正确的是（ ）
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